Literatur zu Gasreinigungsanwendungen für die Halbleiterherstellung

Titel weitere Prozesse von Interesse Prozessverbesserungen Wirtschaftliche Vorteile Zu folgenden Produkten
Anwendungsbericht
An Advantage of Pall Gaskleen® Purifiers - Orientation Insensitive (PDF)  k. A. 
  • Gleiche Kapazität an Verunreinigungen unabhängig der vertikalen oder horizontalen Ausrichtung
  • Reduzierte Kontamination der Gasleitung
  • Geringer Druckabfall
  • Schnelle Reaktionszeit 
  • Geringere Betriebskosten
  • Verringerte Reinigungskosten
     
Anwendungshinweis für das Trockenätzverfahren (PDF) 
  • Nassätzverfahren
  • Reaktives Ionenätzen (RIE)
  • Anisotropes Ätzen
  • Magnetisch verstärkte reaktive Ionenätzeinrichtung (MERIE)
  • Elektronen-Zyklotron-Resonanz (ECR)
  • Sputtern
  • Rein chemisches Ätzen
  • Ionenunterstütztes energiebetriebenes Ätzen
  • Ionenunterstütztes Ätzen mit Inhibitor 
  • Bessere Kontrolle über Varianz in  Trockenätzverfahren
  • Bessere Ätzergebnisse
  • Weniger Sputter- und plasmainduzierte Oberflächenschäden
  • Höhere Ausbeute in der Fertigung
  • Höhere Anlagenverfügbarkeit
  • Geringere Betriebskosten 
Point of Use (POU) Gas Purification for Atomic Layer Deposition (ALD) Processes (PDF)
  • Dünnschichtaufbringung
  • Konforme Schichtabscheidung
  • Physikalische Gasphasenabscheidung (PVD)
  • Chemische Gasphasenabscheidung (CVD)
  • Verhindert eine gasförmige Verunreinigung des ALD-Reaktors 
  • Höhere Ausbeute
  • Betriebskosten senken
     
Pre-epitaxy Deposition Etch (PDF) 
  • Chlorwasserstoff (HCl) Gasphasenätzen
  • Ätzen von Siliziumwafern 
  • Reduzierung von Feuchte auf niedrige Werte zur Vermeidung von Defekten, die zu Polysiliziumwachstum und Korrosion in Gasverteilersystemen führen.
  • Keine Metalloxiddefekte auf der Waferoberfläche bzw. keine Kurzschlüsse in Schaltungen
  • Betrieb bei Raumtemperatur erspart externe Beheizung oder Kühlung 
  • Effiziente Partikelabscheidung ohne zusätzliche Systemkomponenten
  • Geringere Betriebskosten 
Preventing Contamination in Dielectric Plasma Etch Processes by Installing Point of Use (POU) Pall Purifiers (PDF)
  • Oxidabscheidung
  • Fotolithographie
  • Anisotropes Ätzverfahren
  • Entfernung zahlreicher gasförmiger Verunreinigung auf bis zu 1 ppb (parts per billion)
  • Prozess wird homogener
  • Höhere Prozessausbeute 
Protection of Oxygen Sensors in Semiconductor Processing by Utilizing the Pall Gaskleen® SP Assembly (PDF)
  • Schnelle thermische Bearbeitung (RTP)
  • Atomlagenabscheidung (ALD)
  • Epitaxiale chemische Gasphasenabscheidung (Epi CVD)
  • Physikalische Gasphasenabscheidung (PVD) 
  • Schutz der Sauerstoffsensoren im Abgas vor Fouling
  • Deutlich größerer Zeitabstand zwischen Kalibrierungen
  • Minimierung kostspieliger Stillstandzeiten der Anlagen
  • Betriebskosten senken
Removal of Siloxane Impurities From Silane Gas in the Silicon Epitaxy Process (PDF) 
  • Schnelle thermische Bearbeitung (RTP)
  • Atomlagenabscheidung (ALD)
  • Epitaxiale chemische Gasphasenabscheidung (Epi CVD) 
  • Physikalische Gasphasenabscheidung (PVD)
  • Schutz der Sauerstoffsensoren vor Fouling
  • Größerer Zeitabstand zwischen Kalibrierungen
  • Entfernung partikulärer Kontamination zum Schutz des Sauerstoffsensors
  • Längere Lebensdauer von Sensoren
  • Minimierung kostspieliger Stillstandzeiten der Anlagen
  • Geringere Betriebskosten
Utilizing Pall Gaskleen® Purifiers for CO to Prevent Metal Carbonyls and Moisture Contamination in Dielectric Plasma Etch Processes (PDF) 
  • Oxidabscheidung
  • Fotolithographie
  • Anisotropes Ätzen
  • Effektivere Entfernung von Feuchte und Metallcarbonylen
  • Geringere Nickelkontamination des Wafers
  • Geringere Betriebskosten 
Technische Artikel
Analytical Methodology for Evaluating Purifiers Containing a Novel Purification Medium for Hydrogen Chloride Gas (PDF) 
  • In der Halbleiterfertigung zum Ätzen und zum Reinigen von Prozesskammern
  • Substratätzen vor der Epitaxie 
  • Bessere Entfernung der Feuchte aus Chlorwasserstoffgas (HCl) 
k. A. 
Better Chips Need Purer Gases, November, 2004 Clean Rooms (gesichertes PDF) 
  • Gasfiltration und -reinigung
  • Plasmaätzen
  • Lithographie
  • Entfernung von Partikel- und Filterkontaminationen 
  • Höhere Ausbeute in der Halbleiterfertigung 
k. A.
Comprehensive Performance Testing and Characterization of Various Point-Of-Use (POU) Inert Gas Purification Technologies Used in Microelectronics Fabrication Processes, Juli/August, 2004 Gases & Technology (PDF) 
  • Plasmaätzen
  • Chemische Gasphasenabscheidung
  • Sputtern
  • Atomlagenabscheidung
  • Epitaxie
  • Verbesserter Prozess und höhere Ausbeute, Homogenität und Vorhersehbarkeit
k. A. 
Eliminating Siloxane Impurities From Silane Process Gas Using Next-Generation Purification, Juli/August, 2000 Micro (PDF)  k. A. 
  • Senkung der Siloxanverunreinigungen
  • Reduzierung von Filmdefekten auf die erforderlichen Werte für fortschrittliche Bauteile
     
  • Reduzierung von Anlagenstillstandszeiten 
Reducing System Footprint and Operational Costs through Careful Component Selection (PDF) 
  • Plasmaätzprozess 
  • Kleinere Stellflächen
  • Höhere Flussraten
  • Geringere Kalibrierungshäufigkeit
  • Längere Betriebszeit und weniger Austausch
  • Keine weiteren Wärmequellen erforderlich
  • Zusätzlicher Platz 
  • Niedrigere Investitions- und Wartungskosten
  • Längere Betriebszeit
  • Höhere Produktivität
  • Geringere Energiekosten
Removal of Metal Carbonyl & Moisture Impurities Through POU Purification of CO Gas, Juli, 2005 Solid State Technology (gesicherte PDF)
  • Ätzverfahren 
  • Effiziente Entfernung von Verunreinigungen
  • Höhere Ausbeute
  • Besser vorhersehbare Prozesse 
  • Höhere Prozessausbeute 
SIMS Analysis of Oxygen Impurity levels when using Point-Of-Use Hydrogen Purification in a Silicon Germanium epitaxial deposition process for a Strained Silicon application (PDF)  k. A.
  • Verhindern hoher Verunreinigungskonzentrationen im Reaktor
  • Weniger Varianz im Prozess und damit der Bauteile
  • Bessere Vorhersehbarkeit
  • Partikelabscheidung 
 
  • Höhere Prozessausbeute